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半导体激光器能带结构和光增益的量子理论


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半导体激光器能带结构和光增益的量子理论
  • 书号:9787030473400
    作者:郭长志
  • 外文书名:
  • 丛书名:
  • 装帧:圆脊精装
    开本:B5
  • 页数:488
    字数:600
    语种:zh-Hans
  • 出版社:
    出版时间:2016-03-30
  • 所属分类:
  • 定价: ¥178.00元
    售价: ¥142.40元
  • 图书介质:
    纸质书

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量子理论是研究半导体激光器中:①体半导体、量子阱、量子线、量子点等增益介质的电子能谱结构,及其②电子与辐射光场的相互作用, 包括光的产生、吸收、放大和散射等涉及不同能带之间、能带以内不同子带或各种晶格缺陷和杂质能级之间的光跃迁和非光跃迁、带内散射和弛豫等决定半导体激光器涉及光电性能的重要量子行为。其中①和②分别用单电子近似理论和半经典理论处理。任务是研究对半导体激光器的激射阈值、激光功率、调制速率、器件结构和激光波段等的设计都有根本意义的激光材料光增益谱结构和激光量子效率等。全书论述既重基础又涉前沿,既重物理概念又重推导编程演算,最后对全量子理论也有简要的介绍。
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    总序
    引言1
    第1章半导体及其低维结构能带理论3
    1.1能带论的基础3
    1.1.1单电子能带模型的三个基本近似4
    1.1.2晶格周期性的作用9
    1.1.3晶格电子能谱及其表述方式11
    1.1.4能带结构的计算13
    1.2有效质量分析与k.p微扰论50
    1.2.1有效质量分析50
    1.2.2k.p微扰论的有限个能带模型83
    1.2.3凯恩简并四带模型,有自旋轨道相互作用的k.p法87
    1.2.4拉廷格科恩简并价带k.p微扰论108
    1.2.5应变对能带结构的影响143
    1.2.6GaN的能带结构185
    1.3非均匀半导体半导体异质结构205
    1.3.1模型固体理论210
    1.3.2包络函数理论和有效质量方程217
    1.3.3半导体量子阱的能带结构228
    1.3.4量子阱的子带结构258
    1.3.5多阱结构和阱间耦合279
    1.3.6任意一维势能场中的电子包络态||传播矩阵法327
    1.3.7空间电荷分布对能带结构的影响343
    第2章半导体能带之间的跃迁353
    2.1电子和光子的能态密度及其统计占据率353
    2.1.1电子能带的态密度353
    2.1.2半导体量子点中的三维谐振子模型367
    2.1.3光子能态密度大光腔情况378
    2.1.4电子和光子在多能级系统上的统计分布379
    2.1.5体半导体中载流子浓度及其费米能级的确定388
    2.1.6半导体量子阱中的载流子浓度及其费米能级的确定396
    2.2半导体中的光跃迁402
    2.2.1微观唯象理论402
    2.2.2三种基本光跃迁速率之间的关系411
    2.3光跃迁的量子力学422
    2.3.1光跃迁几率423
    2.3.2半导体带间光吸收和光增益462
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